El transistor monojuntura que en sus siglas en inglés UJT (unijunction transistor) es un dispositivo de conmutación. Las características de este transistor lo hacen muy útil en diferentes tipos de circuitos mayormente industriales como, por ejemplo:
Temporizadores.
Osciladores.
Generadores de onda.
Circuitos de control de puerta.
Las características generales del transistor UJT son, interruptor casi ideal, soporta tensiones altas, amplificador eficaz, fácil controlabilidad, voltaje pico estable, corriente pico pequeña, impedancia negativa y capacidad de maneja de alta corriente de forma pulsante. Su simbología en los esquemas eléctricos se muestran en la siguiente imagen.
Simbología transistor UJT
Construcción
Este tipo de transistor consta de tres terminales, base 1, base 2 y emisor, la construcción de este dispositivo consiste en una placa de material dopado un poco de Silicio tipo N, los dos contactos de base se unen a los extremos de la superficie antes mencionada, estas son las indicadas como base 1 y base 2.
Un material tipo P se utiliza para formar una unión P-N en el límite de la placa de aluminio y la placa de silicio tipo N. El tercer terminal llamado emisor se fabrica a partir de este material P. El material N está ligeramente contaminado, es decir que no es puro, mientras que el de tipo P está altamente contaminado.
Como el tipo N está ligeramente dopado, ofrece una alta resistencia mientras que el material tipo p, ofrece baja resistividad puesto que está fuertemente contaminado, su composición de muestra a continuación.
Curva característica
Cuando el transistor UJT se polariza normalmente, se puede ver su curva característica, suponiendo que B1 (base 1°) se lleva una tensión positiva (5V ≤ VBB ≤ 30V). Y el circuito equivalente. Por la resistencia RB1 B2 circula entonces una corriente B2:
Partes de la curva característica
Región de corte:
Es este tipo de región, la tensión de emisor es baja de forma que la tensión intrínseca mantiene polarizado inversamente el diodo emisor. La corriente de emisor es muy baja y verifica que VE < VP e IE < IP.
Región de resistencia negativa:
Si la tensión de emisor es suficiente para polarizar el diodo de emisor, es decir, VE = VP entonces el transistor entra en conducción e inyecta huecos a B1 disminuyendo bruscamente la resistencia R1 debido a procesos de recombinación.
Desde el emisor, se observa como el transistor UJT disminuye su resistencia interna con un comportamiento similar a la de una resistencia negativa. En esta región, la corriente de emisor está comprendida entre la corriente de pico y de vale (IP < IE < IV).
Región de saturación:
Esta zona es similar a la zona activa de un transistor con unas corrientes y tensiones de mantenimiento (punto de valle) y una relación lineal de muy baja resistencia entre la tensión y la corriente de la terminal emisor.
En esta región, la corriente de emisor es mayor que la corriente de valle (IE > IV). Si no se verifica las condiciones del punto valle, el transistor UJT entrará de forma natural a la región de corte.
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Transistor UJT - Definición, Funcionamiento y Aplicaciones
Transistor UJT - Definición, Funcionamiento y Aplicaciones
By Electro C
Transistor UJT - Definición, Funcionamiento y Aplicaciones
¿Qué es un transistor UJT?
El transistor monojuntura que en sus siglas en inglés UJT (unijunction transistor) es un dispositivo de conmutación. Las características de este transistor lo hacen muy útil en diferentes tipos de circuitos mayormente industriales como, por ejemplo:
Temporizadores.
Osciladores.
Generadores de onda.
Circuitos de control de puerta.
Las características generales del transistor UJT son, interruptor casi ideal, soporta tensiones altas, amplificador eficaz, fácil controlabilidad, voltaje pico estable, corriente pico pequeña, impedancia negativa y capacidad de maneja de alta corriente de forma pulsante. Su simbología en los esquemas eléctricos se muestran en la siguiente imagen.
Simbología transistor UJT
Construcción
Este tipo de transistor consta de tres terminales, base 1, base 2 y emisor, la construcción de este dispositivo consiste en una placa de material dopado un poco de Silicio tipo N, los dos contactos de base se unen a los extremos de la superficie antes mencionada, estas son las indicadas como base 1 y base 2.
Un material tipo P se utiliza para formar una unión P-N en el límite de la placa de aluminio y la placa de silicio tipo N. El tercer terminal llamado emisor se fabrica a partir de este material P. El material N está ligeramente contaminado, es decir que no es puro, mientras que el de tipo P está altamente contaminado.
Como el tipo N está ligeramente dopado, ofrece una alta resistencia mientras que el material tipo p, ofrece baja resistividad puesto que está fuertemente contaminado, su composición de muestra a continuación.
Transistor UJT construcción
Curva característica
Cuando el transistor UJT se polariza normalmente, se puede ver su curva característica, suponiendo que B1 (base 1°) se lleva una tensión positiva (5V ≤ VBB ≤ 30V). Y el circuito equivalente. Por la resistencia RB1 B2 circula entonces una corriente B2:
Partes de la curva característica
Región de corte:
Es este tipo de región, la tensión de emisor es baja de forma que la tensión intrínseca mantiene polarizado inversamente el diodo emisor. La corriente de emisor es muy baja y verifica que VE < VP e IE < IP.
Región de resistencia negativa:
Si la tensión de emisor es suficiente para polarizar el diodo de emisor, es decir, VE = VP entonces el transistor entra en conducción e inyecta huecos a B1 disminuyendo bruscamente la resistencia R1 debido a procesos de recombinación.
Desde el emisor, se observa como el transistor UJT disminuye su resistencia interna con un comportamiento similar a la de una resistencia negativa. En esta región, la corriente de emisor está comprendida entre la corriente de pico y de vale (IP < IE < IV).
Región de saturación:
Esta zona es similar a la zona activa de un transistor con unas corrientes y tensiones de mantenimiento (punto de valle) y una relación lineal de muy baja resistencia entre la tensión y la corriente de la terminal emisor.
En esta región, la corriente de emisor es mayor que la corriente de valle (IE > IV). Si no se verifica las condiciones del punto valle, el transistor UJT entrará de forma natural a la región de corte.
Una aplicación importante
Una aplicación con este transistor es un oscilador de relajación, el cual es un circuito de repetición como el que se muestra en la siguiente imagen, que logra su comportamiento repetitivo por la carga de un condensador hasta un cierto umbral.
El evento descarga el condensador, y su tiempo de recarga determina el tiempo de repetición de los eventos. En el simple circuito de intermitencia, una batería carga el condensador a través de una resistencia, de modo que los valores de la resistencia y el condensador (constante de tiempo) determinan la velocidad del parpadeo.
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¿Qué es un transistor UJT?
El transistor monojuntura que en sus siglas en inglés UJT (unijunction transistor) es un dispositivo de conmutación. Las características de este transistor lo hacen muy útil en diferentes tipos de circuitos mayormente industriales como, por ejemplo:
Temporizadores.
Osciladores.
Generadores de onda.
Circuitos de control de puerta.
Las características generales del transistor UJT son, interruptor casi ideal, soporta tensiones altas, amplificador eficaz, fácil controlabilidad, voltaje pico estable, corriente pico pequeña, impedancia negativa y capacidad de maneja de alta corriente de forma pulsante. Su simbología en los esquemas eléctricos se muestran en la siguiente imagen.
Simbología transistor UJT
Construcción
Este tipo de transistor consta de tres terminales, base 1, base 2 y emisor, la construcción de este dispositivo consiste en una placa de material dopado un poco de Silicio tipo N, los dos contactos de base se unen a los extremos de la superficie antes mencionada, estas son las indicadas como base 1 y base 2.
Un material tipo P se utiliza para formar una unión P-N en el límite de la placa de aluminio y la placa de silicio tipo N. El tercer terminal llamado emisor se fabrica a partir de este material P. El material N está ligeramente contaminado, es decir que no es puro, mientras que el de tipo P está altamente contaminado.
Como el tipo N está ligeramente dopado, ofrece una alta resistencia mientras que el material tipo p, ofrece baja resistividad puesto que está fuertemente contaminado, su composición de muestra a continuación.
Transistor UJT construcción
Curva característica
Cuando el transistor UJT se polariza normalmente, se puede ver su curva característica, suponiendo que B1 (base 1°) se lleva una tensión positiva (5V ≤ VBB ≤ 30V). Y el circuito equivalente. Por la resistencia RB1 B2 circula entonces una corriente B2:
Partes de la curva característica
Región de corte:
Es este tipo de región, la tensión de emisor es baja de forma que la tensión intrínseca mantiene polarizado inversamente el diodo emisor. La corriente de emisor es muy baja y verifica que VE < VP e IE < IP.
Región de resistencia negativa:
Si la tensión de emisor es suficiente para polarizar el diodo de emisor, es decir, VE = VP entonces el transistor entra en conducción e inyecta huecos a B1 disminuyendo bruscamente la resistencia R1 debido a procesos de recombinación.
Desde el emisor, se observa como el transistor UJT disminuye su resistencia interna con un comportamiento similar a la de una resistencia negativa. En esta región, la corriente de emisor está comprendida entre la corriente de pico y de vale (IP < IE < IV).
Región de saturación:
Esta zona es similar a la zona activa de un transistor con unas corrientes y tensiones de mantenimiento (punto de valle) y una relación lineal de muy baja resistencia entre la tensión y la corriente de la terminal emisor.
En esta región, la corriente de emisor es mayor que la corriente de valle (IE > IV). Si no se verifica las condiciones del punto valle, el transistor UJT entrará de forma natural a la región de corte.
Una aplicación importante
Una aplicación con este transistor es un oscilador de relajación, el cual es un circuito de repetición como el que se muestra en la siguiente imagen, que logra su comportamiento repetitivo por la carga de un condensador hasta un cierto umbral.
El evento descarga el condensador, y su tiempo de recarga determina el tiempo de repetición de los eventos. En el simple circuito de intermitencia, una batería carga el condensador a través de una resistencia, de modo que los valores de la resistencia y el condensador (constante de tiempo) determinan la velocidad del parpadeo.
Esta velocidad de parpadeo se puede aumentar disminuyendo el valor de la resistencia.
Conclusiones importantes:
Podemos afirmar que cuando nuestro transistor UJT se encuentra activado la corriente siempre fluye de la base emisor a la base 1, para que el dispositivo funcione de la manera correcta se debe polarizar de la forma correcta como lo muestra en las hojas de características proporcionadas por el fabricante.
Uno de los usos más comunes de este transistor es como un oscilador de relajación, como se apreció en el resistor equivalente se debe tener en cuenta los valores de los capacitores y resistores, en el caso de los amplificadores el cambio de algún valor de estos dos componentes nos puede llevar a otro comportamiento del transistor.
El transistor UJT tiene aplicaciones diferentes comparado con los demás modelos de transistores, de forma concisa se puede decir que es un dispositivo de disparo y solo se conforma de una unión PN.
Por las propiedades del transistor UJT se asume que es bastante útil para controlar el disparo de la puerta de TRIACS y SCR, circuitos industriales, osciladores, generadores de onda y en circuitos de control de puerta.
Los transistores UJT facilitan en gran medida el diseño de circuitos y funcionamiento de aparatos electrónicos que tiempo atrás resultada difícil hacerlo.
Ya seguiremos viendo algunos detalles más sobre los transistores...
Saludos profe Dany
Saludos....
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